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2dsemiconductorsPWD-Bi2Se3說明書Bi2Se3vdW粉末貨號：PWD-Bi2Se3Bi2Se3vdW粉末我們的Bi2Se3vdW粉末具有層狀，并通過高壓生長技術合成，可生產出層狀良好且結晶度高的粉末。粉末在高溫和高壓下長時間高度結晶以達到結晶度。每個訂單包含約1000mg的高結晶粉末，晶粒尺寸從100nm到mm不等。Bi2Se3粉末與我們最初的vdWBi2Se3晶體具有非常相似的特性該產品非常適合以下情況對于簡單的去角質用于液體去角質作為CVD或PVD...

2dsemiconductorsMBE-MoSe2說明書2DMBEMoSe2貨號：MBE-MoSe2分子式：MoSe22DMBEMoSe2一個分子束外延(MBE)生長的MoSe2單分子層。MBE是一種用于單晶質量薄膜沉積的外延方法，與化學氣相沉積(CVD)或金屬有機化學氣相沉積(MOCVD)技術相比，它提供了高結晶度和降低的缺陷密度（參見下面的HRTEM圖像）。MoSe2單層的MBE生長發生在MBE室中，基礎壓力為8E-9Torr，沉積速率極慢（每秒5-100個原子）以達到結...

2dsemiconductors二維金屬我們專注于合成大尺寸、高質量、電子和光學級層狀vdW晶體的無缺陷單晶。此類別包含二維金屬、半金屬、超導或CDW單晶。我們的產品具有以下*的新穎性；保證CDW、半金屬和超導響應：2Dsemiconductors是保證CDW、超導和金屬響應的商業來源。不同的晶體生長技術：我們的晶體通過各種不同的方法生長，包括化學氣相傳輸(CVT)通量區技術、浮區技術和我們的一些技術無缺陷單晶：缺陷會影響超導轉變的尖銳程度、超導轉變溫度、CDW磁滯回線和許多...

2dsemiconductorsTa2NiS5晶體簡介2D激子絕緣體激子絕緣體是表現出相關電子相的新型材料系統。當激子結合能(Eb)大于帶隙(Eg)時，激子會凝聚到其基態。半導體中的激子凝聚通過Bose-Einstein凝聚過程發生，而半金屬中的凝聚通過Bardeen-Cooper-Schrieffer(BCS)過程發生。正交傳導（電子）和價（空穴）帶之間的庫侖引力引起的自發帶雜化打開帶隙并驅動系統進入絕緣狀態Ta2NiS5晶體貨號：BLK-Ta2NiS5分子式：Ta2NiS...

biogenes抗CHO抗體A型簡介biogenesIP111抗CHO抗體A型抗CHO抗體，親和純化的抗CHO-HCP-IgG（多克隆，山羊），在穩定溶液中。0.5毫克1毫克/毫升;0.5mL在TBS緩沖液pH7.5中，用0.02%NaN3穩定BioGenes是定制免疫測定、分析服務和抗體開發的服務提供商，對質量和服務有著堅定的承諾。BioGenes服務和產品系列的亮點開發定制的單克隆、多克隆和抗*型抗體宿主細胞蛋白ELISA開發通用宿主細胞蛋白ELISA試劑盒從2DDIGE...

demeditecDE2486說明書TollwutIgGcanineELISAdemeditec狂犬病IgG犬ELISA簡介DE2486酶免疫測定法測定血清和血漿中抗狂犬病病毒的IgG抗體方法酶聯免疫吸附試驗測試96孵化時間/條件1小時、1小時(37°C)、10分鐘(RT)默認區域定性的，定量的靈敏度分析-最終樣品體積100微升樣品類型血清,等離子樣品制備稀釋同位素/底物TMB450nmkBq-MethodeELISATests96Inkubationszeiten/-bed...

demeditecDEV9911簡介睪酮大鼠/小鼠ELISADEV9911酶免疫法定量測定小鼠和大鼠血清和血漿中的睪酮方法酶聯免疫吸附試驗測試96孵化時間/條件1小時（室溫/搖床），30分鐘（室溫/黑暗）默認區域0.1-25ng/ml靈敏度分析0.066ng/mL最終樣品體積10微升樣品類型血清,等離子樣品制備-同位素/底物TMB450nmkBq-MethodeELISATests96Inkubationszeiten/-bedingungen1h(RT/shaker),30...

anshlabsAnshLite底物A部分簡介AnshLite底物A部分，12mLALA-100A-x應用：發光微孔板目錄號：ALA-100A-x包裝：12毫升儲存：試劑在2-8oC下可穩定保存至少12個月。該試劑以無菌過濾溶液的形式提供，不含任何防腐劑。避免儲存過程中的污染監管狀態：僅供研究使用。不適用于診斷或治療程序。AnshLite底物A部分，12mLAnshLite™是一個由兩部分組成的系統，需要底物和催化劑。AnshLite™是一種專有的發光...